Infineon 100V N-Channel MOSFET – ISC080N10NM6ATMA1

N-kanals effekt-MOSFET från Infineons OptiMOS™ 6-serie för högfrekvent switchning och synkronlikriktning. Kontrollera elektriska specifikationer, kapsling och anslutningar mot originalkomponenten före byte. Strömvärdet gäller databladets temperatur- och kylvillkor, inte fri drift utan kölning.

Specifikationer

• Tillverkare: Infineon
• Serie: OptiMOS™ 6
• Artikelnummer (MPN): ISC080N10NM6ATMA1
• Typ: N-kanal effekt-MOSFET
• Drain–source-spänning (VDS): 100 V
• Kontinuerlig drainström: 75 A vid TC = 25°C
• RDS(on): max 8,05 mΩ vid VGS = 10 V, ID = 20 A
• Gate–source-spänning: ±20 V
• Kapsling: PG-TDSON-8 (SuperSO8)
• Drifttemperatur: −55 till +175°C

Illustrativ produktbild.

Tillverkarens datablad (Infineon)