MOSFET canal N 100 V Infineon – ISC080N10NM6ATMA1

MOSFET de puissance à canal N de la série OptiMOS™ 6 d’Infineon pour la commutation à haute fréquence et le redressement synchrone. Avant le remplacement, vérifiez les caractéristiques électriques, le boîtier et les connexions par rapport au composant d’origine. La valeur du courant est valable dans les conditions de température et de refroidissement indiquées dans la fiche technique, et non en fonctionnement libre sans refroidissement.

Caractéristiques

• Fabricant : Infineon
• Série : OptiMOS™ 6
• Référence (MPN) : ISC080N10NM6ATMA1
• Type : MOSFET de puissance à canal N
• Tension drain-source (VDS) : 100 V
• Courant continu de drain : 75 A à TC = 25°C
• RDS(on) : max 8,05 mΩ à VGS = 10 V, ID = 20 A
• Tension grille-source : ±20 V
• Boîtier : PG-TDSON-8 (SuperSO8)
• Température de fonctionnement : −55 à +175°C

Image illustrative du produit.

Fiche technique du fabricant (Infineon)